Publié (e) le 09/06/2023
En tant que nouvelle génération de matériaux semi-conducteurs, le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN) présentent des avantages inégalés par rapport aux matériaux Si traditionnels.
Leur largeur de bande interdite est d'environ 3 fois celle de Si, et l'intensité du champ de claquage est d'environ 10 fois celle de Si. Une puissance élevée, une mobilité élevée des porteurs, une vitesse d'électron saturée rapide, une résistance à haute température et haute pression, une efficacité énergétique élevée, une faible perte et d'autres excellentes caractérist...