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Substrat céramique DBC appliqué à IGBT
Le substrat céramique DBC a attiré l'attention dans le domaine de l'électronique de puissance pour ses avantages uniques.
C'est un matériau idéal pour les modules haute puissance tels que les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) en raison de son excellente conductivité thermique et de ses propriétés d'isolation électrique.
Les IGBT sont largement utilisés dans diverses applications, notamment les véhicules électriques, les énergies renouvelables et l'automatisation industrielle. Ils sont capables de gérer des niveaux de tension et de courant élevés, ce qui en fait un composant essentiel de l'électronique de puissance. Cependant, la densité de puissance élevée des IGBT entraîne une génération de chaleur importante, ce qui peut entraîner une dégradation des performances et des problèmes de fiabilité.
Le substrat DBC Al2o3 offre une solution à ces problèmes en offrant une conductivité thermique élevée et une excellente isolation électrique. Sa conductivité thermique est jusqu'à cinq fois supérieure à celle des substrats traditionnels. Cela signifie que les substrats céramiques DBC peuvent dissiper efficacement la chaleur générée par les IGBT, réduisant leur température de fonctionnement et améliorant leurs performances et leur fiabilité.
De plus, les excellentes propriétés d'isolation électrique du substrat DBC DPC aident à minimiser les interférences électriques et à améliorer la sécurité globale du système. Ceci est particulièrement important dans les applications à haute puissance où même une petite interférence électrique peut causer des dommages importants.
L'adoption du substrat céramique DBC dans les IGBT a révolutionné l'industrie de l'électronique de puissance. Il a permis le développement de modules IGBT haute performance et haute fiabilité capables de gérer des niveaux de puissance encore plus élevés. L'utilisation de Rogers DBC Substrate a également contribué à la miniaturisation des systèmes électroniques de puissance, les rendant plus compacts et efficaces.
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