ROHM démarre la production de HEMT GaN 150 V : avec une tension de grille de résistance révolutionnaire de 8 V

Les HEMT ROHM 150V GaN, série GNE10xxTB (GNE1040TB) augmentent la tension de tenue de grille (tension nominale grille-source) à 8V, la meilleure du secteur - idéalement pour une application dans les circuits d'alimentation des équipements industriels

Ces dernières années, en raison de la demande croissante de systèmes de serveurs en réponse au nombre croissant d'appareils IoT, l'amélioration de l'efficacité de la conversion de puissance et la réduction de la taille sont devenues des problèmes sociaux importants qui nécessitent de nouvelles avancées dans le secteur des appareils électriques.

Comme les dispositifs GaN offrent généralement des caractéristiques de commutation plus élevées et une résistance à l'état passant plus faible que les dispositifs au silicium, ils devraient contribuer à réduire la consommation d'énergie de diverses alimentations et à une plus grande miniaturisation des composants périphériques.

Parallèlement à la production de masse de dispositifs SiC de pointe et de dispositifs au silicium riches en fonctionnalités, ROHM a développé des dispositifs GaN qui permettent un fonctionnement haute fréquence supérieur dans la plage de tension moyenne, ce qui nous permet de fournir des solutions d'alimentation pour une plus grande variété d'applications.

Ces nouveaux produits utilisent une structure originale qui élève la tension nominale grille-source du 6V conventionnel à 8V. Par conséquent, la dégradation est évitée, même si des surtensions supérieures à 6 V se produisent lors de la commutation, ce qui contribue à améliorer la marge de conception et à accroître la fiabilité des circuits d'alimentation. La série GNE10xxTB est proposée dans un boîtier très polyvalent offrant une dissipation thermique supérieure et une grande capacité de courant, facilitant la manipulation pendant le processus de montage.

ROHM a déposé des dispositifs GaN qui contribuent à une plus grande conservation de l'énergie et à la miniaturisation sous le nom d'EcoGaN™, et travaille à élargir la gamme avec des dispositifs qui améliorent les performances. À l'avenir, ROHM continuera à développer des circuits intégrés de contrôle qui exploitent la technologie d'alimentation analogique telle que Nano Pulse Control™ et des modules qui intègrent ces circuits intégrés, ainsi que des solutions d'alimentation qui contribuent à une société durable en maximisant les performances des dispositifs GaN.