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les modules MOSFET SiC Gen3 1 200 V améliorent la fiabilité et réduisent la résistance à l'enclenchement

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Les modules de puissance SiC SOT-227 de SemiQ, qui sont testés au-delà de 1 400 V, sont destinés aux chargeurs de batterie, aux onduleurs photovoltaïques, aux alimentations de serveurs et aux systèmes de stockage d'énergie.

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SemiQ Inc. a élargi sa famille de MOSFETs en carbure de silicium (SiC) Gen3 de 1200 V avec cinq modules SOT-227 qui offrent des valeurs de résistance à l'enclenchement (RDS(on)) de 7,4, 14,5 et 34 mΩ. Les modules GCMS, qui comportent des diodes à barrière Schottky (SBD), ont des pertes de commutation plus faibles à haute température. Ils sont destinés à des applications de moyenne tension et de conversion de puissance élevée, notamment les chargeurs de batterie, les onduleurs photovoltaïques, les alimentations de serveurs et les systèmes de stockage d'énergie.

Toutes les pièces ont été conçues pour améliorer les performances et les vitesses de commutation tout en minimisant les pertes. Elles sont soumises à des tests de déverminage au niveau du wafer et de l'oxyde de la porte, dépassant 1 400 V, et sont testées en avalanche à 800 mJ (330 mJ pour les modules de 34 mΩ). Le GCMX007C120S1-E1 de 7,4 mΩ réduit les pertes de commutation à 4,66 mJ (3,72 mJ à l'allumage, 0,94 mJ à l'extinction) et présente une charge de récupération inverse de la diode de corps de 593 nC.

Les modules SOT-227 sont robustes, faciles à monter et comportent une plaque arrière isolée ainsi que des montages directs pour un dissipateur thermique. Leur résistance thermique entre la jonction et le boîtier varie de 0,23°C/W pour le module MOSFET de 7,4 mΩ à 0,70°C/W pour le module MOSFET de 34 mΩ.