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Contrôle de la composition de la couche d'oxyde dans la formation de cristaux supraconducteurs

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L'analyseur CGA351 de Panametrics a été utilisé pour contrôler le débit d'oxygène d'une bouteille

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Application
Le contrôle de la couche d'oxyde est essentiel pour la fabrication de matériaux supraconducteurs. La recherche a prouvé qu'un contrôle précis de la teneur en oxygène est nécessaire pour obtenir les propriétés souhaitées dans les matériaux.

Contexte
Une enceinte à couvercle transparent contient des matériaux qui doivent être cristallisés et transformés en supraconducteurs. La vitesse de développement et la pureté des cristaux dépendent de la température et de la quantité d'oxygène dans le système. Au démarrage, le système est purgé avec de l'argon. Lorsque la température s'approche du point de consigne, de l'oxygène est ajouté afin que l'atmosphère contienne une concentration de 2 % d'oxygène dans l'argon.
Une université a contribué au développement de supraconducteurs pour l'industrie de l'énergie. La quantité d'oxygène devait être contrôlée pour que les cristaux se développent correctement. Un moniteur d'oxygène était nécessaire pour contrôler précisément la concentration d'oxygène. Auparavant, l'oxydation était contrôlée par une surveillance visuelle des cristaux.

Installation de l'analyseur
L'analyseur CGA351 a été installé et la sortie 4 - 20 mA a été utilisée pour contrôler le débit d'oxygène d'une bouteille afin de maintenir le niveau à 2 % par volume.

Avantages
Après une démonstration, un analyseur d'oxygène à base d'oxyde de zirconium a été choisi en raison de sa réponse rapide, de son faible volume d'échantillon, de son prix attractif et de sa facilité d'installation. La réponse rapide de cet analyseur était très importante en raison de la nature de la réaction. Le faible volume d'échantillon est essentiel en raison du petit volume de la chambre de réaction.

L'équipement
Un analyseur d'oxygène Panametrics CGA 351 Zirconia a été utilisé.

Spécifications :
- Application : 0% - 21% d'oxygène dans l'argon (typiquement 2% d'oxygène)
- Pression : atmosphérique au point d'échantillonnage dans l'enceinte purgée
- Température : ambiante au point d'échantillonnage dans l'enceinte purgée