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GEN2 Les diodes Schottky SiC 650V SiC offrent une efficacité, une fiabilité et une gestion thermique améliorées

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Courant de récupération inverse négligeable, capacité de pompage élevée et température de jonction de 175°C max. en fonctionnement

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Littelfuse, Inc. présente aujourd'hui deux séries de diodes Schottky en carbure de silicium (SiC) qualifiées AEC-Q101 de 650V de deuxième génération.