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Littelfuse dévoile le pilote de grille IX4352NE pour MOSFETs SiC et IGBTs de haute puissance

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Le nouveau circuit d'attaque offre une temporisation d'activation et de désactivation sur mesure, des pertes de commutation minimisées et une meilleure immunité dV/dt

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Littelfuse, Inc. (NASDAQ : LFUS), société de fabrication de technologies industrielles qui contribue à un monde durable, connecté et plus sûr, a le plaisir d'annoncer le lancement du pilote de grille SiC MOSFET et IGBT IX4352NE Low-side. Ce driver innovant est spécialement conçu pour piloter des MOSFETs en carbure de silicium (SiC) et des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) de forte puissance dans les applications industrielles.

La principale caractéristique du IX4352NE réside dans ses sorties source et puits séparées de 9 A, qui permettent d'adapter les temps d'allumage et d'extinction tout en minimisant les pertes de commutation. Un régulateur de charge négative interne fournit également une polarisation négative de la grille sélectionnable par l'utilisateur pour une meilleure immunité dV/dt et une extinction plus rapide. Avec une plage de tension de fonctionnement (VDD - VSS) allant jusqu'à 35 V, ce circuit d'attaque offre une flexibilité et des performances exceptionnelles.

L'une des caractéristiques les plus remarquables du IX4352NE est son régulateur de pompe de charge négative interne, qui élimine le besoin d'une alimentation auxiliaire externe ou d'un convertisseur DC/DC. Cette caractéristique est particulièrement utile pour éteindre les MOSFET SiC, ce qui permet d'économiser l'espace précieux généralement requis pour le circuit de traducteur de niveau logique externe. La compatibilité de l'entrée logique avec les niveaux logiques standard TTL ou CMOS améliore encore les possibilités d'économie d'espace.

Le IX4352NE est idéal pour piloter des MOSFET SiC dans diverses applications industrielles telles que :

chargeurs embarqués et débarqués,

Correction du facteur de puissance (PFC),

Convertisseurs DC/DC,

contrôleurs de moteur, et

onduleurs de puissance industriels.

Ses performances supérieures en font la solution idéale pour les applications d'électronique de puissance exigeantes sur les marchés des véhicules électriques, de l'industrie, des énergies alternatives, de la maison intelligente et de l'automatisation des bâtiments.

Grâce à ses caractéristiques complètes, le IX4352NE simplifie la conception des circuits et offre un niveau d'intégration plus élevé. Les fonctions de protection intégrées telles que la détection de désaturation (DESAT) avec arrêt progressif du circuit d'attaque, le verrouillage sous tension (UVLO) et l'arrêt thermique (TSD) garantissent la protection du dispositif de puissance et du circuit d'attaque. La sortie FAULT à drain ouvert intégrée signale une condition de défaut au microcontrôleur, améliorant ainsi la sécurité et la fiabilité. En outre, le IX4352NE permet d'économiser un espace précieux sur le circuit imprimé et d'augmenter la densité du circuit, contribuant ainsi à l'efficacité globale du système.

Les améliorations notables par rapport au IX4351NE existant sont les suivantes :

Un arrêt progressif sécurisé initié par DESAT.

Un arrêt thermique avec une grande précision de seuil.

La capacité de la pompe de charge à fonctionner pendant l'arrêt thermique.

Le nouveau IX4352NE est compatible avec les broches, ce qui permet de le remplacer sans problème dans les conceptions qui spécifient le Littelfuse IX4351NE existant, qui a été commercialisé en 2020.

"Le IX4352NE élargit notre large gamme de circuits d'attaque de grille côté bas avec un nouveau circuit d'attaque puits/source de 9 A, simplifiant le circuit d'attaque de grille nécessaire pour les MOSFET SiC ", commente June Zhang, chef de produit de la division Circuits intégrés (SBU) chez Littelfuse. "Ses diverses fonctions de protection intégrées et sa pompe de charge intégrée fournissent une tension de commande de grille négative réglable pour une immunité dV/dt améliorée et un arrêt plus rapide. Par conséquent, il peut être utilisé pour piloter n'importe quel MOSFET SiC ou IGBT de puissance, qu'il s'agisse d'un composant Littelfuse ou d'un autre composant similaire disponible sur le marché."

Disponibilité

Le IX4352NE Low-side SiC MOSFET and IGBT Gate Driver est disponible en format tube à raison de 50 par tube ou en format bande et bobine par quantités de 2 000. Les demandes d'échantillons peuvent être adressées aux distributeurs agréés de Littelfuse dans le monde entier. Pour obtenir la liste des distributeurs Littelfuse, veuillez consulter le site Littelfuse.com.

Pour plus d'informations

Des informations complémentaires sur la dernière version de la série sont disponibles sur la page produit IX4352NE Low-side SiC MOSFET and IGBT Gate Driver. Pour toute question technique, veuillez contacter l'une des personnes suivantes de la division Circuits intégrés de Littelfuse (SBU) :

Hugo Guzman, Product Marketing Manager, HGuzman@Littelfuse.com Klaus Wiedorn, Sr. Technical Marketing Analyst, KWiedorn@Littelfuse.com

À propos de Littelfuse

Littelfuse est une entreprise diversifiée de fabrication de technologies industrielles qui contribue à un monde durable, connecté et plus sûr. Dans plus de 20 pays, avec environ 17 000 associés, nous travaillons en partenariat avec nos clients pour concevoir et fournir des solutions innovantes et fiables. Au service de plus de 100 000 clients finaux, nos produits se retrouvent dans une variété de marchés finaux de l'industrie, du transport et de l'électronique, partout, tous les jours. Littelfuse a été fondée en 1927 et son siège social se trouve à Chicago, dans l'Illinois, aux États-Unis. Pour en savoir plus, consultez le site Littelfuse.com.