Profilage en Profondeur Ultra-Rapide

Regardez cette vidéo et découvrez une nouvelle technique de caractérisation des matériaux. Comprenez comment il est possible d’obtenir en quelques minutes la distribution en profondeur des éléments pour de nombreux matériaux. Comprenez comment il est possible d’obtenir, en quelques minutes, la distribution en profondeur des éléments pour de nombreux matériaux, en utilisant le PP-TOFMS. La rapidité du Plasma Profiling TOFMS (PP-TOFMS) vient de la haute densité du plasma de pulvérisation et de la détection du spectromètre de masse à temps de vol, un spectromètre ultra-rapide qui assure la détection de tous les ions.

Le fait que l’échantillon n’ait pas besoin d’être transféré dans un environnement ultra vide contribue également à une analyse plus rapide et fait surtout de cette technique un outil très accessible pour un grand nombre d’ingénieurs et chercheurs dans les matériaux.

Le PP-TOFMS vous apportera des réponses rapides sur les couches déposées en analysant la répartition en profondeur des éléments majeurs, le profil des dopants, la qualité des interfaces et en identifiant des contaminants inattendus. Avec le PP-TOFMS, tout élément peut être détecté et sa concentration estimée (ordre de grandeur) de façon instantanée, sans utiliser d’échantillon de référence. En effet, la sensibilité de tous les éléments est assez proche (sauf H, C, N, O) car les mécanismes de pulvérisation et d’ionisation sont séparés.

Gagnez du temps dans l’optimisation de vos conditions de dépôt de couches minces ou autres étapes de fabrication. Le PP-TOFMS est un équipement à haute valeur ajoutée, idéal dans les domaines de la microélectronique, de l’optoélectronique ou du photovoltaïque.